RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
69
En -123% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
3403
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link