RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
69
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3403
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston HP536726-H41-ELCUW 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link