RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
69
En -116% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2660
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMX16GX3M2A1600C11 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link