RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
69
Rund um -116% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
11.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
2660
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link