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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
69
En -138% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
3673
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
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