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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
69
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
38
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2509
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
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