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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
69
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
38
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2277
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
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