RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
69
En -214% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2313
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link