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PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
6.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
1338
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
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InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
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