RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
1338
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link