RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
69
En -165% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2978
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-054.A00LF 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link