RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
69
Wokół strony -165% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2978
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link