RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
69
Wokół strony -165% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2978
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link