RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
35
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
2236
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link