Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

Gesamtnote
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Gesamtnote
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Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

Unterschiede

  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.6 left arrow 7.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    23 left arrow 35
    Rund um -52% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.4 left arrow 13.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 12800
    Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    35 left arrow 23
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.7 left arrow 14.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.6 left arrow 7.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2312 left arrow 2236
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche