Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

Различия

  • Выше скорость записи
    9.6 left arrow 7.3
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 35
    Около -52% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14.4 left arrow 13.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    35 left arrow 23
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.7 left arrow 14.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.6 left arrow 7.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2312 left arrow 2236
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения