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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
69
En -229% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.1
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
21
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
18.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
4230
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
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