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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB

Puntuación global
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Puntuación global
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 19.2
    Valor medio en las pruebas
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    25 left arrow 69
    En -176% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    15.7 left arrow 1,441.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 5300
    En 3.21 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    69 left arrow 25
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,325.1 left arrow 19.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,441.2 left arrow 15.7
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    525 left arrow 3680

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM

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