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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
54
En -93% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
1,308.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,573.5
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,308.1
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
371
3741
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
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Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
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