RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
51
En -132% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
22
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3096
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link