RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
51
Autour de -132% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
22
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3096
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link