RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
51
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3096
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link