RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
35
Autour de -21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
29
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
3014
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link