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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB

総合得点
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

総合得点
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SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB

SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 35
    周辺 -21% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.9 left arrow 14.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.7 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    14.4 left arrow 15.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 11.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2321 left arrow 3014

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G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Kingston 9965662-018.A00G 32GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
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メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
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メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
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Kingston 9965662-009.A00G 16GB
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