RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
69
En -123% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
11.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2605
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link