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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
10
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
69
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2068
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
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