RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
69
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.0
1,441.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,325.1
10.0
Скорость записи, Гб/сек
1,441.2
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2068
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link