RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 17000
    Около 1.13% выше полоса пропускания
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    21 left arrow 24
    Около -14% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    20.4 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    18.1 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 21
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 20.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 18.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 4230

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
модули RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
модули RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
модули RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
модули RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
модули RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
модули RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
модули RAM