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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
66
69
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
66
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
1953
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
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