RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
18.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
46
En -70% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
27
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
3873
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link