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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
49
En -113% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.8
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
23
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2070
3905
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
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