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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
49
Por volta de -113% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.8
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
23
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
17.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
3905
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
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Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
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