RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Comparar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
36
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
22
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
13.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2292
3038
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link