RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
36
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
3038
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link