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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
69
En -176% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
25
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2515
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
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