RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
73
En 55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
73
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
1744
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link