RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Comparar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
73
Por volta de 55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
15.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
73
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
8.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
1744
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link