RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
73
Intorno 55% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
15.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
73
Velocità di lettura, GB/s
17.6
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
1744
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link