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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
73
77
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
73
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
1744
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
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