RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
73
77
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
73
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1744
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link