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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
69
En -77% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
8.8
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
39
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
8.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
2083
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
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