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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Razões a considerar
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
69
Por volta de -77% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
8.8
3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
39
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
8.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
7.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
2083
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
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