RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
64
En -191% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
1,869.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,477.7
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,869.1
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
697
2820
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link