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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
50
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
10.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
40
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2512
3015
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
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