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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Razões a considerar
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
50
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
10.9
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
40
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
14.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2512
3015
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
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