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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Compara
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
82
En 39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
10.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
82
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
12.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2512
1930
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
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