RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
82
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
82
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
12.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
1930
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link