RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3189
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link