RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
69
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2487
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link