RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
69
Rund um -97% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
9.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
2487
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link