RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Compara
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
51
En 2% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
51
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
10.9
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2512
2286
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link